深圳市奥诗达电子有限公司

 产品状态 在售  
FET 类型 N 通道  
技术 MOSFET（金属氧化物）  
漏源电压（Vdss） 60 V  
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 120A（Tc）  
驱动电压（  Rds On， 小 Rds On） 10V  
不同 Id、Vgs 时导通电阻（ 大值） 3 毫欧 @ 75A，10V  
不同 Id 时 Vgs(th)（ 大值） 4V @ 150μA  
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（ 大值） 170 nC @ 10 V  
Vgs（ 大值） ±20V  
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（ 大值） 6540 pF @ 50 V  
FET 功能 -  
功率耗散（ 大值） 280W（Tc）  
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  
安装类型 通孔  
供应商器件封装 TO-247AC  
封装/外壳 TO-247-3