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许俊权 
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奥诗达IRF3710PBF
直插MOS场效应管
Infineon/英飞凌 IRF3710PbF N道沟MOS管 100V 57A
描述
International Rectifier 的GAO级 HEXFET® 功率 MOSFET 利用
先进的加工技术，实现极低的导通电阻整个行业的认可.
IRF3710PBF 尺寸图
IRF3710PBF参数
Absolute Maximum Ratings
Parameter Max. Units
ID @ TC = 25°C 连续漏极电流，VGS @ 10V 57
ID @ TC = 100°C 连续漏极电流，VGS @ 10V 40 A
IDM 脉冲漏极电流 180
PD @TC = 25°C 功耗 200 W
线性降额因数 1.3 W/°C
VGS 栅源电压 ± 20 V
IAR 雪崩电流 28 A
EAR 重复雪崩能量 20 mJ
dv/dt 峰值二极管恢复 dv/dt 5.8 V/ns
TJ 工作结和 -55 至 +175℃
TSTG 储存温度范围
焊接温度，10 秒 300℃（距外壳 1.6 毫米）
安装扭矩，6-32 或 M3 螺纹 10 lbf•in (1.1N•m) ℃
热阻
Parameter Typ. Max. Units
RθJC 结到外壳 ––– 0.75
RθCS 外壳到水槽，平坦，润滑表面 0.50 ––– °C/W
RθJA 结到环境 ––– 62
电气特性 @ TJ = 25°C（除非另有说明）
Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions
V(BR)DSS 漏源击穿电压 100 ––– ––– V VGS = 0V，ID = 250μA
∆V(BR)DSS/∆TJ 击穿电压温度系数 ––– 0.13 ––– V/°C 参考 25°C，ID = 1mA
RDS(on) 静态漏源导通电阻 ––– ––– 23 mΩ VGS = 10V，ID =28A
VGS(th) 栅极阈值电压 2.0 ––– 4.0 V VDS = VGS，ID = 250μA
gfs 正向跨导 32 ––– ––– S
VDS = 25V，ID = 28A 4
DSS 漏源漏电流
––– ––– 25 μA VDS = 100V，VGS = 0V
––– ––– 250 VDS = 80V，VGS = 0V，TJ = 150°C
IGSS
栅源正向泄漏 ––– ––– 100 VGS = 20V
栅源反向漏电 ––– ––– -100 nA
VGS = -20V
Qg 总栅极电荷 ––– ––– 130 ID = 28A
Qgs 栅源电荷 ––– ––– 26 nC VDS = 80V
Qgd 栅漏（“米勒”）电荷 ––– ––– 43 VGS = 10V，见图 6 和 13
td(on) 开启延迟时间 ––– 12 ––– VDD = 50V
tr 上升时间 ––– 58 ––– ID = 28A
td(off) 关断延迟时间 ––– 45 ––– RG = 2.5Ω
tf 下降时间 ––– 47 ––– VGS = 10V，见图 10 4
LD 内部漏极电感 4.5 nH（类型）
LS 内部源电感 7.5 nH（类型）
铅之间
6 毫米（0.25 英寸）
从包
和芯片接触中心
Ciss 输入电容 ––– 3130 ––– VGS = 0V
Coss 输出电容 ––– 410 ––– VDS = 25V
Crss 反向传输电容 ––– 72 ––– pF ƒ = 1.0MHz，见图 5
EAS 单脉冲雪崩能量 ––– 1060 280 mJ IAS = 28A，L = 0.70mH
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