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该 MOSFET 采用zui新的处理技术来实现每硅面积的低导通电阻。
此外,优化了栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻,
以提高关键 D 类音频放大器性能因素,例如效率、THD 和 EMI。
该 MOSFET 的其他特性是 175°C 的工作结温和重复雪崩能力。
这些特性相结合,使该 MOSFET 成为适用于 D 类音频放大器应用的高效、坚固且可靠的器件.
IRFB4020PBF 参数说明
Absolute Maximum Ratings
参数 zui大值 单位
VDS 漏源电压 200 V
VGS 栅源电压 ±20 V
ID @ TC = 25°C 连续漏极电流,VGS @ 10V 18A
AID @ TC = 100°C 连续漏极电流,VGS @ 10V 13A
IDM 脉冲漏极电流 1 52 A
PD @TC = 25°C 功耗 4 100 W
PD @TC = 100°C 功耗 52W
线性降额因数 0.7 W/°C
TJ TSTG
工作结点和°C 存储温度范围 -55 至 175°C
焊接温度,10 秒(距外壳 1.6mm) 300°C
安装扭矩,6-32 或 M3 螺钉 10Ib.in(1.1N.m)
热阻
参数类型 zui大限度。 单位
RθJC 结到外壳 4–––1.43 °C/W
RθCS 壳到沉、平坦、润滑表面 0.50–––°C/W
RθJA 结到环境 4 –––62 °C/W
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