深圳市奥诗达电子有限公司

FET 类型 N 通道  
技术 MOSFET（金属氧化物）  
漏源电压（Vdss） 100 V  
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 17A（Tc）  
驱动电压（ 大 Rds On， 小 Rds On） 10V  
不同 Id、Vgs 时导通电阻（ 大值） 90 毫欧 @ 9A，10V  
不同 Id 时 Vgs(th)（ 大值） 4V @ 250μA  
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（ 大值） 37 nC @ 10 V  
Vgs（ 大值） ±20V  
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（ 大值） 920 pF @ 25 V  
FET 功能 -  
功率耗散（ 大值） 70W（Tc）  
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  
安装类型 通孔  
供应商器件封装 TO-220AB  
封装/外壳 TO-220-3  
基本产品编号 IRF530