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许俊权 
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FDA50N50描述
这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆半导体专有的平面条带 DMOS 技术生产。这种先进技术专为zui大limit地减小导通电阻、提供卓越的开关性能和承受高 雪崩和换向模式下的能量脉冲。 这些器件非常适合高效开关模式电源和有源功率因数校正.
Absolute Maximum Ratings
符号 参数 FDH50N50/FDA50N50 单位
VDSS 漏源电压500V
ID 漏极电流 - 连续 (TC = 25°C)- 连续 (TC = 100°C)4830.8AA
IDMDrain 电流脉冲（注 1）192A
VGSS 栅源电压 ±20V
EASS单脉冲雪崩能量(注2)1868mJIARA雪崩电流(注1)48A
EAR 重复雪崩能量（注 1） 62.5mJdv/dt
峰值二极管恢复 dv/dt(注 3)4.5V/nsPD
功耗 (TC = 25°C)- 超过 25°C6255WW/°CTJ 时降额，TSTG 操作和存储温度范围 - 55 至 +150°C
TL 用于焊接目的的zui大引线温度，距离外壳 1/8" 5 秒 300°C
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