深圳市奥诗达电子有限公司

MOC3023  6 针 DIP 光耦，双向可控硅驱动器输出

特征
输入和输出之间的隔离电压 Viso : 5,000Vrms
6pin DIP光耦，可控硅驱动输出
高重复峰值断态电压 VDRM : Min. 400V
高临界断态电压上升率 (dV/dt : MIN. 100V / μs ) 

双列直插式封装：MOC3020、MOC3021、MOC3022、MOC3023 

宽引脚间距封装：MOC3020M、MOC3021M、MOC30302M、MOC30302M
表面贴装封装：MOC3020S、MOC3021S、MOC3022S、MOC3023S
卷带包装：MOC3020S-TA1、MOC3021S-TA1、MOC3022S-TA1、MOC3023S-TA1


特征
电机控制
固态继电器
用于触发大功率晶闸管和双向可控硅
家用设备

电气 - 光学特性 ( Ta = 25°C ) 参数符号zui小值。典型值。zui大LIMIT。单位条件 

INPUT 

正向电压 VF — 1.151.5V IF=20mA  

反向电流 IR — — 10 μA VR=6V 

*1 峰值阻断电流，任一方向 IDRM— 10 100nA VDRM = 400V 峰值导通电压，

任一方向 VTM— 1.73 V ITM =100 mA PeakOUTPUT 

*2 断态电压上升的临界速率 dv/dt 100— — V/μs 

MOC3020— 15 30 MOC3021— 8 15 MOC3022— — 10 

*3 LED 触发电流，锁存输出所需的电流，任一方向MOC3023IFT— — 5 mA 

主端电压 = 3V 保持电流，任一方向 IH100— — μA COUPLED 

开启时间 ton — 8 20 μs VD=9V，IF=20mARL=100Ω

*1 必须在 dv/dt 额定值范围内施加测试电压.

 *2 这是静态 dv/dt。换向 dv/dt 仅是负载驱动晶闸管的函数。

 *3 所有设备都保证在小于或等于ZUI大 IFT 的 IF 值下触发。

因此，推荐的工作 IF 介于ZUI大 IFT 30 mA 和absoblute ZUI大 IF (50mA) 

部件号：MOC3020 至 MOC3023 SERIES

1.产品应用 
此处描述的 LED 旨在用于普通电子设备（例如办公设备、通信设备和家庭应用）。
有关需要卓越可靠性的应用的信息，尤其是在出现故障或故障时，请提前咨询客服。 
LED 可能直接危害生命或健康（例如在航空、运输、交通控制设备、医疗和生命支持系统以及安全设备中）。

2．储存 LED 的储存环境不应超过 30°C 的温度或 70% 的相对湿度。
建议在一周内对脱离原始包装的 LED 进行 IR 回流。为了延长原包装外的储存时间，
建议将 LED 储存在装有适当干燥剂的密封容器中，或储存在氮气环境中的干燥器中。
在焊接组装之前，从原始包装中存放超过一周的 LED 应在约 60 摄氏度下烘烤至少 24 小时。 
3. 清洁 如有必要，请使用酒精类清洁剂（如异丙醇）清洁 LED。


ESD (Electrostatic Discharge) 静电或电涌会损坏 LED。 
防止 ESD 损坏的建议：处理这些 LED 时，请使用导电腕带或防静电手套。 
所有装置、设备和机械必须正确接地。 工作台、储物架等应妥善接地。 
使用离子风机来中和由于 LED 之间在存储和处理过程中的摩擦而可能在 LED 塑料透镜表面积聚的静电荷。