深圳市奥诗达电子有限公司

LTV-217-C-G封装图

LTV-217-C-G特征
当前传输率 (CTR) : MIN。 50% 在 IF = 5mA、VCE = 5V
高输入输出隔离电压。 (Viso=3,750Vrms)
采用双传递模具技术
RoHS合规性：设备中使用的所有材料均遵循欧盟RoHS指令
ESD 通过 HBM 8000V/MM2000V
MSL 等级 1
无卤


LTV-217-C-G应用
需要高密度安装的混合基板。
可编程控制器
系统设备、测量仪器

Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
参数  符号 评级 单位
217 227 247 

输入正向电流 IF 50 mA
反向电压 VR 6 V
功耗 P 70 mW
脉冲正向电流 IFSM 1 A
结温 TJ 125 ℃
输出集电极 - 发射极电压 VCEO 80 V
发射极 - 集电极电压 VECO 7 V
集电极电流 IC 50 mA
集电极功耗 PC 150 100 mW
工作温度 TJ 125 ℃
总功耗 Ptot 200 170 mW


1. 隔离电压 Viso 3750 Vrms
工作温度 Topr -55 ~ +110℃
储存温度 Tstg -55 ~ +150℃
2. 焊接温度 Tsol 260℃

1. AC 1 分钟，R.H. = 40 ~ 60% 隔离电压应使用以下方法测量。
(1) yi次侧的阳极和阴极之间以及二次侧的集电极和发射极之间短路。
(2) 应使用带过零电路的隔离电压测试仪。

 (3) 施加电压的波形应为正弦波。
2. FOR 10 秒

Ta=25°C 时的电光学特性
参数符号zui小值类型。zui大限度。单位 测试条件
输入
正向电压 VF — 1.2 1.4 V IF=20mA
反向电流 IR — — 10 UA VR=4V
终端电容 Ct — 30 250 pF V=0, f=1KHz
输出
集电极暗电流 ICEO — — 100 nA VCE=20V，IF=0
集电极-发射极击穿电压 BVCEO 80 — — V IC=0.1mA, IF=0
发射极-集电极击穿电压 BVECO 7 — — V IE=10uA, IF=0
传输特性
集电极电流 IC 2.5 — 30 mA
1. 当前传输率 CTR 50 — 600 %
 (IF=5mA VCE=5V )


集电极-发射极饱和电压 VCE(sat) — — 0.4 V
(IF=8mA IC=2.4mA )
隔离电阻 Riso 5*10的10次方 1*10的11次方—Ω
DC500V, 40 ~ 60% R.H.
浮动电容 Cf — 0.6 1 pF V=0, f=1MHz40 ~ 60% R.H.


响应时间（上升）tr — 2 18 us
响应时间（下降）tf — 3 18 us
开启时间 TON － 3 — us
关断时间 TOFF － 3 — us
( VCE=10V, IC=2mA RL=100Ω, f=100Hz )
开启时间 tON － 2 — us
VCE=5V, IC=16mA RL=1.9KΩ
存储时间 Ts — 25 — us
关断时间 tOFF — 40 — us