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3年
企业信息

深圳市奥诗达电子有限公司

卖家积分:5001分-6000分

营业执照:已审核

经营模式:贸易/代理/分销

所在地区:广东 深圳

企业网站:
http://www.shenzhenasd.com/

人气:342769
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相关证件:营业执照已审核 

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许俊权 QQ:2881262875

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元器件产品

FGW60N65WE-S31PPSC-P2 晶体管 IGBT

型号/规格:FGW60N65WE-S31PPSC-P2 品牌/商标:FUJITSU(富士通) 正向电流:60 脉冲集电极电流:240A 大功耗:220W 工作温度:-55-175

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FGW60N65WE FUJI TO-247 晶体管 分立IGBT

型号/规格:FGW60N65WE 品牌/商标:FUJITSU(富士通) 封装:TO-247 发射极电压:430 直流集电极电流:60 温度:- 40 ~ + 175

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FF450R12KE4 IGBT 模块

型号/规格:FF450R12KE4 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿:1200 V 电流 - 集电极 (Ic):520 A 功率:2400 W 电流 - 集电极截止:5 mA

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FS50R12W2T4 IGBT 模块 沟槽型场截止 全桥反相器

型号/规格:FS50R12W2T4 品牌/商标:IR IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):83 A 电流 - 集电极截止(最大值):1 mA 工作温度:-40°C ~ 125°C

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FS30R06W1E3 IGBT

型号/规格:FS30R06W1E3 品牌/商标:IR IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):600 V 功率 - 最大值:150 W

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