可控硅(晶闸管)模块_元器件产品_深圳市奥诗达电子有限公司

企业信息

深圳市奥诗达电子有限公司

卖家积分： 5001分-6000分

营业执照：已审核

经营模式：贸易/代理/分销

所在地区：广东深圳

企业网站：
http://www.shenzhenasd.com/

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放大器(4)

>放大器(4)

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元器件产品

FF450R12KE4 IGBT 模块

型号/规格:FF450R12KE4 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） IGBT 类型:沟槽型场截止配置:2 个独立式电压 - 集射极击穿:1200 V 电流 - 集电极 (Ic):520 A 功率:2400 W 电流 - 集电极截止:5 mA

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联系人：许俊权

电话：0755-83234840

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FS50R12W2T4 IGBT 模块沟槽型场截止全桥反相器

型号/规格:FS50R12W2T4 品牌/商标:IR IGBT 类型:沟槽型场截止配置:全桥反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:83 A 电流 - 集电极截止（最大值）:1 mA 工作温度:-40°C ~ 125°C

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联系人：许俊权

电话：0755-83234840

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FS30R06W1E3 IGBT

型号/规格:FS30R06W1E3 品牌/商标:IR IGBT 类型:沟槽型场截止配置:三相反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V 功率 - 最大值:150 W

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电源IC(6)

半导体存储器(1)

二极管(9)

三极管(2)

场效应管MOSFET(11)

可控硅IGBT(5)

单片机(29)

传感器(1)

放大器(4)

光电子/光纤/激光(31)

LED(22)

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元器件产品

FF450R12KE4 IGBT 模块

FS50R12W2T4 IGBT 模块 沟槽型场截止 全桥反相器

FS30R06W1E3 IGBT

FS50R12W2T4 IGBT 模块沟槽型场截止全桥反相器