深圳市奥诗达电子有限公司

CT3063   兆龙CT MICRO DIP-6

600V/800V 过零 6 引脚光电三端双向可控硅光耦合器
封装外形示意图
注意：提供不同的引线成型选项。 请参阅包装尺寸。

CT3063 特征
高隔离 5000 VRMS
峰值击穿电压
600V – CT3061,3062,3063
800V – CT3081,3082,3083
温度范围 - 55 °C 至 100 °C

CT3063 应用
电机控制
灯镇流器
静态交流电源开关
电磁阀/阀门控制

描述 

CT3061、CT3062、CT3063、CT3081、CT3082 和 CT3083 系列

由一个零交叉光电双向可控硅光耦合到砷化镓红外发光二极管，

采用 6 引线 DIP 封装，具有不同的引线成型选项。

CT3063尺寸图

参数图

Absolute Maximum Rating at 25℃

符号 参数 额定值 单位 注释
VISO 隔离电压 5000 VRMS
TOPR 工作温度 -55 ~ +100℃
TSTG 储存温度 -55 ~ +150℃
TSOL 焊接温度 260℃
发射器
IF 正向电流 60 mA
IF(TRANS)峰值瞬态电流(≤1μs P.W,300pps) 1 A
VR 反向电压 6 V
PD 功耗 100 mW
探测器
PD 功耗 300 mW
VDRM 断态输出端电压
CT3061,3062,3063 600V
CT3081,3082,3083 800V
ITSM 峰值重复浪涌电流 1 A

电气特性 TA = 25°C（除非另有说明）发射器特性
符号参数 测试条件 Min Typ MaxUnitsNotes
VF 正向电压 IF=10mA - - 1.5 V
IR 反向电流 VR = 6V - - 5 μA
CIN 输入电容 f= 1MHz - 45 - pF
探测器特性
符号参数 测试条件 Min Typ Max UnitsNotes
IDRM1 峰值阻塞电流 CT3061,62,63 CT3081,82,83
IF= 0mA, VDRM= 额定 VDRM- - 500 nA
IDRM2 抑制漏电流 IF= 额定 IFT，VDRM= 额定
VDRM- - 500 μA
VINH 抑制电压 IF= 额定 IFT,- - 20 V VTMPeak 通态电压 IF= 额定 IFT, ITM= 100mA - - 3 V
dv/dt 关态电压的临界上升率
CT3061,62,63V PEAK= 额定 VDRM 1000 - - V/μs
CT3081,82,83                               600 - - 传输特性 

SymbolParameters 测试条件 Min Typ Max UnitsNotes

IFT Input 触发电流 CT3061, CT3081 端电压 = 3V ITM=100mA - - 15 mA 

CT3062, CT3082 - - 10
CT3063、CT3083 - - 5 IH 保持电流 - 380 - μA
RIO 隔离电阻 VIO= 500VDC 1x10的11次方- - Ω
CIO 隔离电容 f= 1MHz - 0.25 - pF